[한국기술뉴스]  호서대학교 전자디스플레이공학부 배병성교수 연구팀은 절연막 형성 공정을 단순화시키는 수직 박막 트랜지스터를 개발했다. 개발된 기술은 호서대학교 산학협력단을 통해 2018년 03월 30일 특허를 출원(출원번호 제1020180037454호)했다. 특허 명칭은 '수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법’이다. 현재 특허 등록이 완료돼 산업에서 기술을 활용할 수 있도록 기술이전을 추진할 계획이다.

[기자]

박막 트렌지스터는 전류의 흐름을 제어하는 스위치 역할을 하는 반도체 소자입니다. 기기의 소형화가 가능해 웨어러블 및 바이오 센서에 널리 사용되고 있습니다. 최근 기기들의 집적도 및 동작속도의 증가에 따라 소비전력이 기하급수적으로 증가하고 있습니다. 

호서대학교 배병성 교수 연구팀은 저전력 및 저전압 구동이 가능한 수직 구조의 박막 트랜지스터 제조방법을 발명했습니다.

기판에 산화물 전극과 금속 전극, 산화물 전극을 순서대로 적층 및 패터닝하여 활성층을 형성합니다. 이후 열처리를 통해 금속 전극의 계면을 산화시켜 게이트 절연막을 형성합니다.  이를 통해 게이트 절연막의 형성을 위해 별도의 절연재료가 요구되지 않으면서도 매우 얇은 절연막을 형성할 수 있습니다. 즉, 숏 채널과 얇은 절연막의 두께로 저전력 및 저전압 구동이 가능합니다.

본 기술은 매우 얇은 절연막 형성이 가능해 절연막 형성 공정을 단순화시킬 수 있고, 그 제조 비용을 줄일 수 있는 효과가 있습니다.

소비전력과 생산 비용을 크게 줄여 차세대 전자소자 제조의 핵심 기술이 될 것으로 기대됩니다.